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  3. Electrónica
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  5. 002-1613

Transistor SPB17N80C3

Transístor N-MOSFET de alta tensão em embalagem SMD PG-TO263-3, com corrente de dreno até 17 A e dreno-fonte até 800 V. Apresenta canal enriquecido, polarização unipolar e resistência de condução de 0,29 Ω, garantindo potência dissipada de até 227 W. Com tecnologia CoolMOS™, oferece desempenho eficiente em fontes de alimentação chaveadas, comutação rápida e proteção, suportando tensões de porta-fonte até ±20 V. Adequado para aplicações industriais e de telecomunicações.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montagem: SMD
Carcaça: PG-TO263-3
Corrente de dreno: 17A
Espécie de canal: enriquecido
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 227W
Resistência no estado de condução: 0.29Ω
Tecnologia: CoolMOS™
Tensão dreno-fonte: 800V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET