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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1609

Transistor IRFB52N15D

Transistor de potência N-MOSFET HEXFET, com dreno-fonte de 150 V e corrente de 60 A, capaz de 320 W de potência. Encapsulamento TO220AB e montagem THT, Vgs até 30 V, Rds(on) de 32 mΩ e resistência térmica de 470 mK/W asseguram dissipação estável. Carga de porta de 60 nC. Ideal para fontes de alimentação, conversores e drivers de potência em PCB, com boa eficiência e confiabilidade em aplicações de potência.
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Características:
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensão dreno-fonte: 150V
- Corrente de dreno: 60A
- Potência: 320W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão porta-fonte: 30V
- Resistência no estado de condução: 32mOhm
- Resistência térmica: 470mK/W
- Montagem: THT
- Carga da porta: 60nC