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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1597

Transistor IRFB4321

Transistor de potência tipo N-MOSFET com tecnologia HEXFET para aplicações de comutação de potência. Suporta até 150 V entre dreno e fonte e 83 A de corrente, dissipando até 330 W, em encapsulamento TO-220AB. A porta admite até ±30 V, com resistência no estado de condução de 15 mΩ e carga de porta de 71 nC. Montagem por through-hole (THT) e envio em tubo, adequado para driver de fontes, inversores e conversores de potência, entre outros.
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€ 3,59
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Tipo de transístor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 150V
Corrente de dreno: 83A
Potência dissipada: 330W
Carcaça: TO220AB
Tensão porta-fonte: ±30V
Resistência no estado de condução: 15mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 71nC
Espécie de embalagem: tubo
Espécie de canal: enriquecido