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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1519

Transistor IRF2807

Transístor de potência N-MOSFET com montagem THT, tecnologia HEXFET e canal enriquecido para condução eficiente. Com dreno-fonte de 75 V e porta-fonte de 20 V, suporta correntes até 82 A e dissipa até 200 W. A resistência no estado de condução é de 13 mΩ e a carga da porta é de 106.7nC. Encaixa-se na carcaça TO220AB, tornando-o adequado para aplicações de comutação em PCB com montagem através de furos.
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Montagem: THT
Espécie de embalagem: tubo
Corrente de dreno: 82A
Espécie de canal: enriquecido
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 200W
Resistência no estado de condução: 13mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão dreno-fonte: 75V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 106.7nC