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  3. Electrónica
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  5. 002-1442

Transistor IRF5210

Montado em encapsulamento TO220AB, este P-MOSFET de potência utiliza tecnologia HEXFET para oferecer comutação fiável em fontes de alimentação e inversores. Conduz até -40 A com uma resistência de condução de 60 mΩ, suportando até -100 V entre dreno e fonte e oferecendo polarização gate-source de ±20 V. Com dissipação até 200 W, montagem THT em tubo, é adequado para aplicações de comutação de potência, controlo de carga e circuitos de motor, que exigem proteção e eficiência.
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Carcaça: TO220AB
Tecnologia: HEXFET®
Montagem: THT
Espécie de embalagem: tubo
Carga da porta: 120nC
Corrente de dreno: -40A
Espécie de canal: enriquecido
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 200W
Resistência no estado de condução: 60mΩ
Tensão dreno-fonte: -100V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: P-MOSFET