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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1369

Transistor IRFPE40

Transistor N-MOSFET de potência com dreno-fonte a 800 V, corrente de 3,4 A e potência dissipada de 150 W. Alojamento TO247AC com montagem em THT facilita aplicações de comutação de alta tensão, oferecendo resistência de condução de 2 Ω, tensão porta-fonte até ±20 V e carga de porta de 130 nC. Adequado para fontes, conversores e drivers de potência em sistemas electrónicos.
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Fabricante VISHAY
Tipo de transístor N-MOSFET
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 800V
Corrente de dreno 3.4A
Potência dissipada 150W
Carcaça TO247AC
Tensão porta-fonte ±20V
Resistência no estado de condução 2Ω
Montagem THT
Carga da porta 130nC
Espécie de embalagem tubo
Espécie de canal enriquecido