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  3. Electrónica
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  5. 002-1330

Transistor IRFP250N

Este componente é um transístor de potência do tipo N-MOSFET com tecnologia HEXFET, encapsulado em TO-247AC e montagem THT. Suporta até 200 V entre dreno e fonte e até 30 A de corrente, com resistência de condução de 75 mΩ. A porta aceita a tensão de ±20 V e carrega 123 nC, o que favorece a comutação eficiente em aplicações de potência. Ideal para fontes, reguladores e drivers de potência, com dissipação até 214 W e desempenho estável em montagem resistente.
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Em Stock (11 unidades) Entrega imediata
€ 6,27
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Montagem: THT
Carcaça: TO247AC
Potência dissipada: 214W
Espécie de embalagem: tubo
Corrente de dreno: 30A
Espécie de canal: enriquecido
Polarização: unipolar
Resistência no estado de condução: 75mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão dreno-fonte: 200V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carga da porta: 123nC