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  5. 002-1186

Transistor IRF9Z24N

Transistor MOSFET de canal P HEXFET, encapsulado em TO220AB, com Vds de -55V, Id de -12A e 175mOhm de Rds(on). Possui potência de 45W e Vgs de 20V, adequado para comutação de cargas com polaridade negativa; o encapsulamento facilita dissipação térmica, com peso de 2.81g. Ideal para designs compactos de eletrónica de potência com eficiência e velocidade de comutação.
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Transistor IRF9Z24N.

Características:
- Tipo: unipolar, P-MOSFET, HEXFET
- Potência: 45W
- Cápsula: TO220AB
- Voltagem drain-source: -55V
- Drain current: -12A
- Voltagem gate-source: 20V
- Resistência on-state: 175mOhm

Peso: 2.81g