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Electrónica
Transistores
002-1170
Transistor STP20NM60
Este transistor N-MOSFET com tecnologia FDmesh é unipolar e adequado para aplicações de potência. Suporta até 600 V de dreno-fonte e 12.6 A de corrente, com dissipação máxima de 45 W. Possui embalagem TO220-3 e montagem THT, com tolerância de porta-fonte de ±30 V. A resistência no estado de condução é de 290 mΩ, com canal enriquecido, tornando-o adequado para comutação eficiente e regulação de potência em circuitos de potência.
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002-1170
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DETALHES
Fabricante: STMicroelectronics
Tipo de transístor: N-MOSFET
Tecnologia: FDmesh™
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 600V
Corrente de dreno: 12.6A
Potência dissipada: 45W
Carcaça: TO220-3
Tensão porta-fonte: ±30V
Resistência no estado de condução: 290mΩ
Montagem: THT
Espécie de embalagem: tubo
Espécie de canal: enriquecido