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  5. 002-1131

Transistor IRF1404Z

Transístor de canal N com HEXFET, em embalagem TO220AB (montagem THT), polarização unipolar. Suporta 190 A de corrente de dreno e 40 V entre dreno e fonte, com tensão de porta de ±20 V, resistência on de 3,7 mΩ, potência dissipada de até 220 W. A porta tem carga de 0,1 µC, adequado para comutações de potência rápidas e eficientes em aplicações de controlo de energia.
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Em Stock (3 unidades) Entrega imediata
€ 7,08
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Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 0,1µC
Corrente de dreno: 190A
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montagem: THT
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 220W
Resistência no estado de condução: 3,7mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão descarga-fonte: ±20V
Tensão dreno-fonte: 40V
Tipo de transístor: N-MOSFET