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  5. 002-1061

Transistor IRF3710

Transistor N-MOSFET de potência com tecnologia HEXFET. Suporta drenagem até 100V e correntes de até 57A, dissipando até 200W em encapsulamento TO220AB. Possui tensão porta-fonte de ±20V, resistência ON de 23mΩ, montagem THT e carga de porta de 86.7nC. Ideal para conversores, fontes de alimentação e aplicações de comutação de alta fiabilidade.
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Em Stock (34 unidades) Entrega imediata
€ 1,45
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IVA Incluído à Taxa de 23%
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Fabricante Infineon (IRF)
Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnologia HEXFET®
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 100V
Corrente de dreno 57A
Potência dissipada 200W
Carcaça TO220AB
Tensão porta-fonte ±20V
Resistência no estado de condução 23mΩ
Montagem THT
Carga da porta 86.7nC