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  5. 002-1049

Transistor IRFIZ44N

Transístor de potência N-MOSFET com tecnologia HEXFET, fabricado pela Infineon Technologies, encapsulado em TO220FP e montagem THT, oferecendo 55V de dreno-fonte, 28A de corrente de dreno, resistência de condução de 24 mΩ e dissipação até 38W. Compatível com tensões porta-fonte de ±20V, adequado para comutação de potência, fontes de alimentação, controlo de motores e aplicações industriais, apresentando desempenho estável, eficiência de condução e fácil integração em soluções de hardware.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montagem: THT
Carcaça: TO220FP
Carga da porta: 43.3nC
Corrente de dreno: 28A
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 38W
Resistência no estado de condução: 24mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão dreno-fonte: 55V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET