A pesquisar por imagem…
Funcionalidade em fase de testes
Ver!
MENU
Sem IVA
Com IVA
0
0
Automóvel e 2 Rodas
Audiovisual
Carregadores
Baterias e Pilhas
Componentes p/ Eletrodomésticos
Componentes TV e Áudio
Desenvolvimento e Maker
Domótica e Smart Home
Electrónica
Energia Solar e Eólica
Ferramentas
Fichas e Cabos
Fontes de Alimentação
Fotografia e Vídeo
Iluminação
Impressão 3D
Informática e telecomunicação
Lanternas
Material eléctrico
Casa e Bem-Estar
Segurança e Vigilância
TV Satélite e Terrestre
O CARRINHO ESTÁ VAZIO
Ainda não tens produtos no carrinho.
Parece que existe um problema...
Adicionar artigo à lista de compras
ui-button
ui-button
Cancelar
Gravar
Electrónica
Transistores
002-0489
Transistor IRF3205
O IRF3205 da Infineon Technologies é um N-MOSFET da família HEXFET, com polarização unipolar, tensão dreno-fonte de 55 V, corrente de dreno até 80 A e dissipação de 200 W, numa carcaça TO220AB. Adequado para comutação de potência em PCB com montagem THT; oferece Vgs de ±20 V, Rds(on) de 8 mΩ e carga de porta de 146 nC. Ideal para projetistas que procuram eficiência e fiabilidade em aplicações de controlo de potência.
REF
002-0489
Em Stock
(41 unidades)
Entrega entre 1 a 3 dias úteis
€ 0,74
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
Adicionar ao Carrinho
Preços Especiais por Quantidade
Quantidade
Poupança
Preço Unit. Final
15+
-33%
= € 0,25
€ 0,49
Disponibilidade em Loja
Corroios
0
Esgotado
Freixeira
28
Unidades
Funchal
0
Esgotado
Leiria
0
Esgotado
Lisboa
9
Unidades
Portela
0
Esgotado
Porto
4
Unidades
DETALHES
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 55V
Corrente de dreno: 80A
Potência dissipada: 200W
Carcaça: TO220AB
Tensão porta-fonte: ±20V
Resistência no estado de condução: 8mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 146nC
Espécie de embalagem: tubo
Espécie de canal: enriquecido