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  5. 002-0401

TRANSISTOR IRF540N

O transístor N-MOSFET de potência com tecnologia HEXFET oferece Vds de 100V, Id de 33A e Pd de 140W, em carcaça TO220AB. Possui Rds(on) de 44mΩ e Vgs de ±20V, adequado para comutação de alta eficiência em fontes de alimentação, drivers de motor e conversores DC-DC. Montagem em THT e embalagem tubo simplificam a montagem e a integração em PCB, mantendo desempenho estável e confiável.
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Em Stock (51 unidades) Entrega entre 1 a 3 dias úteis
€ 1,11
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Preços Especiais por Quantidade
Quantidade Poupança Preço Unit. Final
15+ -37% = € 0,41 € 0,70
Fabricante Infineon (IRF)
Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnologia HEXFET®
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 100V
Corrente de dreno 33A
Potência dissipada 140W
Carcaça TO220AB
Tensão porta-fonte ±20V
Resistência no estado de condução 44mΩ
Montagem THT
Carga da porta 47.3nC
Espécie de embalagem tubo
Espécie de canal enriquecido