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  5. 002-0237

Transistor IRF840

Este transístor de potência é um N-MOSFET de montagem em TO220AB, adequado para aplicações de comutação e regulação. Oferece dreno até 5,1A com picos de 32A, tensão dreno-fonte de 500V e polarização unipolar. A resistência no estado de condução é de aproximadamente 850 mΩ, dissipando até 125W, com carga de porta de 63nC. A montagem é THT, em embalagem tubo, e o canal é enriquecido, proporcionando boa eficiência em circuitos de potência.
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Montagem: THT
Corrente de dreno: 5.1A
Corrente de dreno em impulso: 32A
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
espessura do radiador: 1.14...1.4mm
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 125W
Resistência no estado de condução: 850mΩ
Tensão dreno-fonte: 500V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 63nC