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  5. 001-3863

Transistor N-MOSFET - IRFP3206PBF

Transistor N-MOSFET de potência com encapsulamento TO247AC, resistência no estado de condução de 3 mΩ, corrente de dreno até 200 A e tensão dreno-fonte de 60 V. Suporta dissipação de 280 W com polarização unipolar, tecnologia HEXFET e montagem THT, adequado para aplicações que exigem condução eficiente e controlada; oferece descarga-fonte até ±20 V.
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€ 5,90
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Carcaça: TO247AC
Carga da porta: 0,12µC
Corrente de dreno: 200A
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montagem: THT
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 280W
Resistência no estado de condução: 3mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão descarga-fonte: ±20V
Tensão dreno-fonte: 60V
Tipo de transístor: N-MOSFET