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  3. Electrónica
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  5. 001-2626

Transistor IRFB7430

Este transistor de potência é um N-MOSFET de encapsulamento TO220AB com dreno-fonte de 40 V, corrente de dreno até 409 A e potência de 375 W. Possui resistência on-state de 1,3 mΩ, tensão gate-source de ±20 V e carga de gate de 300 nC. Compatível com montagem em THT, é adequado para aplicações de comutação de alta potência em fontes de alimentação, drivers de motores e circuitos que exigem eficiência e controlo preciso.
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Características:
IRFB7430PBF
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 40V
- Corrente de dreno: 409A
- Potência: 375W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 1.3mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 300nC