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  5. 001-2602

Transistor AOD407

Transistor P-MOSFET unipolar com encapsulamento TO252, tensão dreno-fonte -60V e corrente de dreno -10A. Potência 25W, tensão gate-source +/-20V, resistência on-state 115mΩ, montagem SMD e carga de gate 7.4nC. Ideal para comutação de potência em vias com requisitos de baixa resistência e tensões, contribuindo para a gestão eficaz de energia em designs compactos.
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Características:
- Tipo de transistor: P-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: -60V
- Corrente de dreno: -10A
- Potência: 25W
- Encapsulamento: TO252
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 115mOhm
- Montagem: SMD
- Carga de gate: 7.4nC