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  3. Electrónica
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  5. 001-2569

Transistor IRFSL11N50A

Transistor N-MOSFET de potência com encapsulamento I2PAK e polarização unipolar, tensão dreno-fonte 500V, corrente de dreno até 7A e potência até 190W. Possui resistência on-state de 0.55 Ohm e carga de gate de 51nC, com montagem em THT e gate-source de +/-30V. Ideal para aplicações de comutação de alta tensão em fontes de alimentação e circuitos de potência, com boa dissipação.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 500V
- Corrente de dreno: 7A
- Potência: 190W
- Encapsulamento: I2PAK
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 0.55Ohm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 51nC