Ver!
MENU
Sem IVA
Com IVA
0
0
O CARRINHO ESTÁ VAZIO
Ainda não tens produtos no carrinho.

Transistor IPD025N06NATMA1

Transistor N-MOSFET de alta potência com polarização unipolar, ideal para fontes de alimentação e controlo de motores. Possui Vds de 60V, Id de 90A e potência de até 167W, garantindo eficiência com perdas reduzidas. O encapsulamento PG-TO252-3 facilita montagem SMD, enquanto Rds(on) de 2.5mOhm melhora a eficiência. A tecnologia OptiMOS oferece confiabilidade para aplicações com gate-source até +/-20V.
REF
Por Encomenda Entra em contacto connosco
€ 7,55
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
Pedir informaçãoAvisar quando disponível
Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 60V
- Corrente de dreno: 90A
- Potência: 167W
- Encapsulamento: PG-TO252-3
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 2.5mOhm
- Montagem: SMD
- Tecnologia: OptiMOS